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				韓國(guó)研發(fā)了替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型材料
				
          
                
          
                  （時(shí)間:2020-3-11 8:48:06）
                
          
                        
            
          
            
          
              
                
          
                  
          
        
          
          
   據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)于日前宣布，一個(gè)KIST團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功開發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來生產(chǎn)藍(lán)光LED。 
             此前日本開發(fā)出一種制造高質(zhì)量氮化鎵的方法，用于生產(chǎn)藍(lán)光LED，這種藍(lán)光LED被用作智能手機(jī)、顯示器、電子產(chǎn)品和高頻設(shè)備的核心設(shè)備。 
             據(jù)悉，韓國(guó)研究小組使用一種由銅和碘合成的碘化銅化合物(CuI)來生產(chǎn)藍(lán)光LED。研究人員表示，“我們發(fā)現(xiàn)，碘化銅半導(dǎo)體可以發(fā)出藍(lán)光，其亮度是氮化鎵半導(dǎo)體的10倍以上，此外在光電效率和長(zhǎng)期設(shè)備穩(wěn)定性方面的表現(xiàn)也很出色。” 
             研究人員研發(fā)的碘化銅半導(dǎo)體可以在低成本、缺陷小的硅襯底上生長(zhǎng)，因此具有使用目前市面上可買到的大尺寸硅襯底(300毫米)的優(yōu)勢(shì)。此外，碘化銅薄膜的生長(zhǎng)溫度與硅基工藝中使用的溫度（低于300攝氏度）相似，因此可以在不犧牲性能的情況下沉積碘化銅薄膜。因此，它可以應(yīng)用于低成本、簡(jiǎn)單的硅半導(dǎo)體工藝。 
             這些研究成果的意義在于，通過在硅襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的銅鹵素單晶碘化銅，實(shí)現(xiàn)高效的藍(lán)光發(fā)射，在世界范圍內(nèi)首次展示了一種新的使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)。
                    		
        
          
          
          
          		
                
          
                                        
            
          
            
          
              
          
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